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Módulos IGBT Generadores Ultrasonidos

Velocidad y potencia en los ultrasonidos

Los módulos IGBT de generadores de ultrasonidos representan la alternativa a los MOSFET de potencia en la realización de equipos de alta frecuencia, normalmente utilizados por la mayor parte de los fabricantes del sector. El uso de los IGBT comporta numerosas ventajas: la reducción de las dimensiones en la tarjeta, el número de componentes y las dimensiones del embalaje, de manera que se permite a los diseñadores aumentar la eficiencia del sistema y su rendimiento, al tiempo que disminuye el coste final. Los IGBT son dispositivos de conmutación bipolares de alta tensión pilotados en driver, que unen la elevada impedancia de entrada de los MOSFET a las bajísimas pérdidas de conmutación en el estado de ON de un transistor bipolar.

En el sector del lavado por ultrasonidos, para la utilización de los IGBT es fundamental la elección y la programación del driver, el cual debe regular la velocidad de los impulsos y al mismo tiempo proteger ante sobrecargas y cortocircuitos.

Por ello, en Moroni Ultrasuoni utilizamos estos componentes en los generadores de la serie MOG, donde hemos adoptado un microprocesador de 32 bit de MICROCHIP, que junto a muchas otras funciones, tiene la tarea de pilotar el driver.

Con los módulos IGBT hoy se pueden alcanzar potencias de 120 A a 600 V, un nivel impensable hace pocos años.

Nota técnica de aclaración

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT – Insulated-gate bipolar transistor) es un componente de tres terminales: Puerta, Colector y Emisor. Puede verse como la síntesis de las mejores características de un transistor bipolar y de un MOS.

El IGBT se usa como interruptor en las aplicaciones de elevados valores de tensión y corriente. Respecto a los otros dispositivos de potencia con semiconductor, presenta algunos puntos de fuerza:

A continuación se incluyen dos símbolos usados para este componente:

Moduli Igbt Generatori Ultrasuoni
Moduli Igbt Generatori Ultrasuoni